ATX-XR系列LVDT位移传感器专为测量极高温和极低温的位移测量而设计，ATX-XR系列耐核辐射辐照LVDT位移传感器可以从-200~600℃中运行。
ATX-XR系列LVDT位移传感器还具有较高耐辐射性，可以承受伽马射线总积分量10¹¹ Rad或10⁹ Gy,可暴露于1x10¹⁹ NVT 总中子通量中。

ATX-XR系列超高温耐辐照位移传感器导线采用不锈钢护套保护，这些电缆可以端接到密封的接头上或连接器（如果需要）。
由于大多数无机绝缘材料都具有吸湿性，因此整个线圈组件均密封在不锈钢内，这样可以防止水份积聚、绝缘泄漏，并保护线圈不受周围有害介质的影响同时允许磁芯自由移动。

某些应用需要同时抵抗伽玛射线，中子射线和高辐射的组合温度。在考虑详细的规格和对特定应用的适用性之前，请先回顾和遵循以下工作定义和等效内容。

总中子通量
总积分中子通量（也称为中子注量）是随时间积分的中子通量。
中子通量：所有中子每单位时间和体积所移动的总距离
中子通量的公式：中子数/体积x距离/时间=中子密度x速度
中子密度：每单位体积的中子数（n）

 总中子通量的公式：
中子密度x速度x时间=中子密度x距离

 总中子通量单位：
n/m ³ x m = n/m ² (n: 中子数; m: 米)

NVT (n/cm ² )

单位换算: 1 NVT = 10 ⁴ n/m ²

伽玛射线总累积剂量（TID）辐射
电离辐射的吸收剂量是每质量单位沉积的能量。
单位：rad（辐射吸收剂量）：每千克物质将沉积0.01焦耳能量的辐射
Gy（灰色）：每千克沉积1焦耳的能量的辐射（SI单位）
 单位换算：1 Gy = 100 rad
所有辐射都会产生一定的损害，因此，问题就变成了多少辐射以及哪种辐射可以在保证其操作规范的同时保持性能。因此这些参数仅是估计。当辐射能量落在物体上时，来自不同来源的等量能量可能会导致取决于辐射形式（即伽马射线，中子等）的破坏程度不同。

这些不同来源也可能导致不同类型的损害。量化这些差异的一种方法是确定一个单元可以承受的辐射速率，而不会造成瞬时和不可接受的损坏。另一种方法是确定在“磨损”损坏之前可以吸收的总积分通量。必须牢记通量率和总积分通量之间的区别。
 中子注量与伽马射线之间没有直接关系。如果我们假设能量相等，由于来自不同来源的耗散，单元吸收的能量将随其吸收截面而变化。要是我们尝试使损害平均化，由于损害的质量差异，由各种形式辐射引起的不确定性更大。