用于核能、国防和太空的抗辐射 LVDT
北京阿贝克传感器技术有限公司（ABEK SENSORS）设计和制造的位置传感器适用于存在核辐射辐照的苛刻环境。 ABEK SENSORS的LVDT 能够承受高达 1000kGy γ射线的总积分通量，非常适合在核反应堆、粒子加速器、质子加速器、核电站、国防应用、潜艇和太空中进行关键位置测量。
阿贝克传感器为多个国家大科学装置提供极端环境位置测量解决方案，例如中国散列中子源（CSNS)的耐核辐射位移测量，上海同步辐射光源（SSRF)的真空、极低-210℃环境位移测量，高能同步辐射光源（HEPS)的高精度耐核辐射位移传感器。
常见应用
- 乏燃料棒尺寸检测
- 核级阀门阀位反馈
- 核燃料组件池边检查
- 粒子加速器
- 质子加速器
- 核燃料元件形变检测
- 核反应堆堆壳监测
优点
- 耐辐照剂量：100kGy、500kGy、1000kGy
- 高温至500℃
- 高可靠性
- 高压30MPa
- 强辐射1G Gy
- 耐中子辐射10^21 NVT
辐射单位换算
总积分中子通量
总积分中子通量(也称为中子通量)是随时间积分的中子通量
中子通量:所有中子在单位时间和体积内行进的总距离
中子通量公式:中子数/体积x距离/时间=中子密度x速度
中子密度:每单位体积的中子数(n)
总积分中子通量公式:中子密度x速度x时间=中子密度x距离
总积分中子通量单位:
n/mxm=n/m(n:中子数:m:米)或NVT(n/cm)
换算:1NVT=10^4 n/m2
γ射线总积分剂量(TID)辐射
电离辐射的吸收剂量是每单位质量沉积的能量。
单位:rad(辐射吸收剂量):每公斤物质将沉积 0.01焦耳能量的辐射Gy(格雷):每公斤将沉积1焦耳能量的辐射(SI单位)换算:1Gy=100 Rad
耐核辐射LVDT选项
回弹式耐辐射LVDT
耐辐照剂量：500kGy
自由芯体式LVDT
耐辐照剂量：1000kGy
水下耐辐射LVDT
耐辐照剂量：500kGy
防水深度：30米
强中子、强辐射
堆芯LVDT
耐水压：30MPa
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