耐核辐射LVDT

ATX‑XR 系列LVDT线性位移传感器核心优势在于卓越的耐辐照性能，专为强辐射、极端温域等严苛环境下的位移精准测量而研发设计。该传感器的抗辐照能力突出，可从容应对强辐射恶劣环境：即便经受 总积分中子通量 3×10²⁴ n/m²、γ射线总积分辐射剂量10⁹ Gy 的强辐照后，仍能严格遵循规格指标，保持稳定可靠的运行状态，可满足核工业等强辐射环境的严苛使用需求。